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        “云光互聯(lián)”市場(chǎng)猛增,ST推出硅光+BiCMOS代工服務(wù)

        • 圖1 100GbE及以上的以太網(wǎng)光芯片市場(chǎng)1? ?“云光互連”市場(chǎng)年增兩位數(shù)AI及生成式AI正在深刻地改變著市場(chǎng),也進(jìn)一步推動(dòng)了對(duì)更高速率、更高帶寬、更高能效的解決方案的需求。據(jù)光通信行業(yè)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)LightCounting(簡(jiǎn)稱LC)預(yù)測(cè),100GbE及更高速的以太網(wǎng)光芯片數(shù)量將快速增長(zhǎng),將從2024年的3660萬(wàn),增加到2029年的8050萬(wàn)。其中硅光芯片的增長(zhǎng)最快,從2024年的960萬(wàn),增加到2029年4550萬(wàn)。在硅光芯片中,最耀眼的明星是CPO(共封裝光學(xué))端口,盡管從2
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        臺(tái)積電計(jì)劃在美國(guó)追加1000億美元投資,新建五家芯片工廠

        • 集成電路代工巨頭臺(tái)積電計(jì)劃在美國(guó)追加1000億美元投資。3月4日,據(jù)環(huán)球網(wǎng)援引臺(tái)媒報(bào)道,臺(tái)積電將對(duì)美國(guó)再投資“至少”1000億美元,建造“最先進(jìn)的”芯片生產(chǎn)設(shè)施。臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼總裁魏哲家表示,未來(lái)數(shù)年將在美國(guó)再建造5座晶圓廠。據(jù)介紹,臺(tái)積電在美建造的包括三座新的晶圓廠和兩座先進(jìn)封裝設(shè)施,此外還有一家大型研發(fā)中心。建設(shè)完成后,臺(tái)積電將在亞利桑那州擁有總計(jì)六家晶圓廠。魏哲家表示:“AI正在重塑我們的日常生活,半導(dǎo)體技術(shù)是新功能和應(yīng)用的基石。隨著公司在亞利桑那州的第一座晶圓廠取得了成功,加上必要的政府支持和強(qiáng)大
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        華爾街提前狂歡!拆分傳言下英特爾股價(jià)暴漲

        • 周二(2月18日)美股早盤,美國(guó)芯片制造商英特爾的股價(jià)一度漲超11%,最高報(bào)每股26.25美元,為2024年11月12日以來(lái)的最高水平。月初至今,英特爾已經(jīng)累漲逾33%,上一次月漲幅超過(guò)30%還是在2023年3月份。據(jù)媒體上周六(2月15日)報(bào)道,知情人士透露,英特爾可能被“一分為二”,分別由其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電和博通接手,目前相關(guān)公司正就潛在收購(gòu)案進(jìn)行評(píng)估。知情人士稱,臺(tái)積電已考慮控制部分或全部英特爾的工廠,也可能通過(guò)投資者聯(lián)盟或其他架構(gòu)來(lái)進(jìn)行;博通則考慮收購(gòu)英特爾為計(jì)算機(jī)和服務(wù)器設(shè)計(jì)半導(dǎo)體的產(chǎn)品業(yè)務(wù)。報(bào)道
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        傳OpenAI未來(lái)數(shù)月完成首款自研芯片設(shè)計(jì) 計(jì)劃由臺(tái)積電代工

        • 2月11日消息,OpenAI正積極推進(jìn)其減少對(duì)英偉達(dá)芯片依賴的計(jì)劃,并致力于通過(guò)開發(fā)首款自研人工智能芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。據(jù)知情人士透露,OpenAI將在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)完成首款自研芯片的設(shè)計(jì),并計(jì)劃將其交由臺(tái)積電進(jìn)行“流片”,即將設(shè)計(jì)好的芯片送至工廠進(jìn)行試生產(chǎn)。OpenAI和臺(tái)積電均未對(duì)此評(píng)論。這一進(jìn)展表明,OpenAI有望實(shí)現(xiàn)其2026年在臺(tái)積電大規(guī)模生產(chǎn)自研芯片的目標(biāo)。通常,每次流片過(guò)程的費(fèi)用高達(dá)數(shù)千萬(wàn)美元,且需要大約六個(gè)月的時(shí)間才能生產(chǎn)出成品芯片,除非OpenAI支付額外費(fèi)用以加速生產(chǎn)進(jìn)程。值得注意的是
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        傳三星2nm SF2工藝初始良率達(dá)30%

        • 據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子近日正在為旗下自研處理器Exynos 2600投入大量資源,以確保其按時(shí)量產(chǎn),且已在試產(chǎn)中獲得初步成功,其2nm工藝(SF2)的良率達(dá)到了高于預(yù)期的30%。這一工藝被預(yù)期在今年下半年進(jìn)行量產(chǎn),并且這一良品率還有望進(jìn)一步提升。報(bào)道中稱,SF2是三星晶圓代工部門計(jì)劃在2025年下半年推出的最新制程技術(shù),采用第三代GAA技術(shù)。與SF3制程技術(shù)相較,SF2性能有望提高12%,能效提高25%,而芯片面積微縮5%。有消息稱,Exynos 2600預(yù)計(jì)將用在計(jì)劃于2026年第一季發(fā)表的Galaxy
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        怕機(jī)密外泄 臺(tái)積電拒絕幫三星代工Exynos

        • 三星3納米GAA制程良率偏低,傳聞可能委托臺(tái)積電代工新一代 Exynos處理器。不過(guò)爆料達(dá)人透露,臺(tái)積電已回絕三星的提案,原因是臺(tái)積電擔(dān)憂機(jī)密制程信息外泄。爆料人士@Jukanlosreve透過(guò)X社交平臺(tái)透露,2024年底曾有風(fēng)聲傳出,三星有意將最新Exynos處理器交由臺(tái)積電代工。然而,最新消息顯示,臺(tái)積電已駁回三星的提議,換句話說(shuō),Exynos處理器將不會(huì)交給臺(tái)積電代工。Jukanlosreve推測(cè),臺(tái)積電拒絕幫三星代工的原因,可能是基于保護(hù)其機(jī)密制程信息的考慮,擔(dān)心將技術(shù)流入競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手手中。工商時(shí)報(bào)報(bào)
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        臺(tái)積電否認(rèn)助英特爾解決代工問(wèn)題

        • 外媒Wccftech報(bào)道,傳言說(shuō)臺(tái)積電幫忙英特爾解決代工問(wèn)題,臺(tái)積電立即否認(rèn); 來(lái)源是臺(tái)積電美國(guó)董事長(zhǎng)Rick Cassidy接受財(cái)經(jīng)媒體CNBC采訪時(shí)表示,臺(tái)積電每周都會(huì)與英特爾會(huì)面,幫忙解決英特爾先進(jìn)制程問(wèn)題。臺(tái)積電聲明澄清,除了討論IC設(shè)計(jì),不會(huì)以任何方式協(xié)助英特爾,Rick Cassidy之言是誤會(huì),臺(tái)積電沒(méi)有以任何方式參與英特爾美國(guó)業(yè)務(wù)。 臺(tái)積電對(duì)與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的關(guān)系非常重視,不會(huì)掉以輕心。美國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)是臺(tái)積電和英特爾等下個(gè)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn),雖英特爾是美國(guó)芯片法案更大受惠者,但目前尚未達(dá)成目標(biāo),
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        三星大規(guī)模人事調(diào)整,代工、存儲(chǔ)等部門負(fù)責(zé)人變更

        • 11月27日,三星電子宣布了2025屆總裁級(jí)別人事變動(dòng),以增強(qiáng)未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)力,主要變動(dòng)包括制度、部門管理、人員職務(wù)等層面方面。制度和部門管理變化主要包括,存儲(chǔ)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)變?yōu)镃EO直接領(lǐng)導(dǎo)制度;更換代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人,重組業(yè)務(wù)線;在Foundry部門設(shè)立總裁級(jí)CTO職位;在DS部門設(shè)立總裁級(jí)管理戰(zhàn)略職位;任命DS業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人為CEO,建立各事業(yè)部CEO業(yè)務(wù)責(zé)任制;成立DX事業(yè)部負(fù)責(zé)人領(lǐng)導(dǎo)的質(zhì)量創(chuàng)新委員會(huì),推動(dòng)質(zhì)量領(lǐng)域的根本性創(chuàng)新。具體的人員職務(wù)調(diào)整則如下:全永鉉(Young Hyun Jun),原三星電子副社長(zhǎng)兼半導(dǎo)體
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        高通驍龍 8 至尊版 2 芯片曝料:?jiǎn)魏似?4000 分,多核提升超 20%

        • 11 月 12 日消息,消息源 Jukanlosreve 昨日(11 月 11 日)在 X 平臺(tái)發(fā)布推文,曝料稱高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績(jī)突破 4000 分,多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息,高通第二代驍龍 8 至尊版芯片(高通驍龍 8Gen 5)將混合使用三星的 SF2 代工和臺(tái)積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯(lián)發(fā)科天璣 9500 芯片均支持可擴(kuò)展矩陣擴(kuò)展(Scalable Matrix Extensio
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        三星陷入良率困境,晶圓代工生產(chǎn)線關(guān)閉超30%

        • 根據(jù)韓國(guó)三星證券初步的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,三星3nm GAA制程的良率約為20%,比可達(dá)成大規(guī)模生產(chǎn)的建議值低了三倍。因訂單量不足關(guān)閉代工生產(chǎn)線進(jìn)入5nm制程時(shí),三星晶圓代工業(yè)務(wù)就因?yàn)闊o(wú)法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨(dú)家代工訂單,高通的訂單全給了臺(tái)積電,同樣上個(gè)月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺(tái)積電代工。為了滿足客戶需求,三星并不堅(jiān)持使用自家代工廠,即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機(jī)全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片,放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領(lǐng)域,臺(tái)積電拿
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        英特爾計(jì)劃再調(diào)整資本支出:剝離部分不必要業(yè)務(wù)

        • 英特爾正在經(jīng)歷其最艱難的時(shí)期,今年第二季度的財(cái)報(bào)表現(xiàn)糟糕,市值已經(jīng)跌破1000億美元。相比之下,目前,英偉達(dá)市值已接近3萬(wàn)億美元。為了扭轉(zhuǎn)不利的處境,在二季度的財(cái)報(bào)中,英特爾宣布將暫停股息支付、精簡(jiǎn)運(yùn)營(yíng)、大幅削減支出和員工數(shù)量:2024年非美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則下的研發(fā)、營(yíng)銷、一般和行政支出將削減至約200億美元,2025年減至約175億美元,預(yù)計(jì)2026年將繼續(xù)削減,作為削減支出計(jì)劃一部分的裁員,預(yù)計(jì)將裁減超過(guò)15%的員工,其中的大部分將在今年年底前完成。外媒援引知情人士的透露報(bào)道稱,已宣布裁員、削減支出的英
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        英特爾燒錢苦戰(zhàn)!代工與臺(tái)積電越拉越遠(yuǎn)

        • 英特爾正陷入一場(chǎng)資金支出戰(zhàn),該公司為追上臺(tái)積電生產(chǎn)尖端芯片的能力,已投入數(shù)十億美元,隨著英特爾業(yè)績(jī)放緩,英特爾將被迫尋找B計(jì)劃
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        全球晶圓代工市場(chǎng)分析:中芯國(guó)際蟬聯(lián)第三

        • 根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Counterpoint Research最新《晶圓代工季度追蹤》報(bào)告指出,2024年第二季度全球晶圓代工行業(yè)的營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)9%,同比增長(zhǎng)23%。盡管整個(gè)邏輯半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇相對(duì)緩慢,但全球晶圓代工市場(chǎng)數(shù)據(jù)已有明顯的復(fù)蘇跡象。
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        英特爾陷入惡性循環(huán),能否絕處逢生?

        • 英特爾在2024年第二季度財(cái)報(bào)中呈現(xiàn)出全面虧損的態(tài)勢(shì),實(shí)現(xiàn)營(yíng)收128.33億美元(低于市場(chǎng)預(yù)期的129.4億美元),同比下降1%;凈利潤(rùn)為-16.54億美元(遠(yuǎn)不及市場(chǎng)預(yù)期的-5.4億美元),2023年同期凈利潤(rùn)14.73億美元,同比轉(zhuǎn)虧;毛利率35.4%,遠(yuǎn)低于市場(chǎng)預(yù)期(42.1%),而上一季度的毛利率為41%,也低于2023年同期的35.8%。AI PC產(chǎn)品的增加、Intel 4和3芯片晶圓從俄勒岡州工廠過(guò)渡至愛(ài)爾蘭工廠的成本,以及其他非核心業(yè)務(wù)的費(fèi)用等因素是導(dǎo)致毛利率暴跌的主要原因,營(yíng)收的微降和毛利
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        英特爾代工合作伙伴為EMIB先進(jìn)封裝技術(shù)提供參考流程

        • 在摩爾定律的旅程中,先進(jìn)封裝技術(shù)正發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用,通過(guò)堆疊技術(shù)的創(chuàng)新,可以在單個(gè)設(shè)備中集成更多的晶體管。目前的大多數(shù)芯片都采用了異構(gòu)架構(gòu)設(shè)計(jì),先進(jìn)封裝技術(shù)也讓設(shè)備中采用不同制程技術(shù)、來(lái)自不同廠商、執(zhí)行不同功能的芯粒能夠在一起妥善工作,從而提高性能并降低功耗。EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)是英特爾的一種2.5D先進(jìn)封裝技術(shù),支持把不同的芯片放在同一塊平面上相互連接。傳統(tǒng)的2.5D封裝是在芯片和基板間的硅中介層上進(jìn)行布線,EMIB則是通過(guò)一個(gè)嵌入基板內(nèi)部的單獨(dú)芯片完成互連。作為一種高成本效益的方法,
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